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MUN5111DW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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भाग संख्या MUN5111DW1T1G
उत्पादक AMI Semiconductor / ON Semiconductor
विवरण TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
In Stock 1314258 pcs
संदर्भ मूल्य
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Product parameter

भाग संख्या MUN5111DW1T1G
उत्पादक AMI Semiconductor / ON Semiconductor
विवरण TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा 1314258 pcs
विवरण तालिका MUN5111DW1, NSBA114EDxx
उत्पाद फोटो MUN5111DW1T1G.jpg
वर्ग असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) 50V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी 250mV @ 300µA, 10mA
ट्रांजिस्टर प्रकार 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
प्रदायक डिवाइस पैकेज SC-88/SC70-6/SOT-363
शृंखला -
प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2) 10 kOhms
प्रतिरोधी - आधार (आर 1) 10 kOhms
पावर - मैक्स 250mW
पैकेजिंग Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
दुसरे नाम MUN5111DW1T1GOSCT
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति Lead free / RoHS Compliant
आवृत्ति - संक्रमण -
विस्तृत विवरण Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce 35 @ 5mA, 10V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) 500nA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) 100mA
आधार भाग संख्या MUN51**DW1T
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  • अंश#:MUN5113DW1T1G
  • निर्माता:ON Semiconductor
  • विवरण:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
  • स्टॉक में:2106414
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