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HTNFET-T

Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

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भाग संख्या HTNFET-T
उत्पादक Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
विवरण MOSFET N-CH 55V 4-PIN
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
In Stock 223 pcs
संदर्भ मूल्य
(अमेरिकी डॉलर में)
1 pcs10 pcs
$171.735$165.373
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$171.735

Product parameter

भाग संख्या HTNFET-T
उत्पादक Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
विवरण MOSFET N-CH 55V 4-PIN
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
उपलब्ध मात्रा 223 pcs
विवरण तालिका HTNFET Datasheet
उत्पाद फोटो HTNFET-T.jpg
वर्ग असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.4V @ 100µA
वीजीएस (मैक्स) 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज 4-Power Tab
शृंखला HTMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 400 mOhm @ 100mA, 5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 50W (Tj)
पैकेजिंग Bulk
पैकेज / प्रकरण 4-SIP
दुसरे नाम 342-1091
HTNFET-T-ND
HTNFETT
परिचालन तापमान -55°C ~ 225°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 290pF @ 28V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 4.3nC @ 5V
FET प्रकार N-Channel
FET फ़ीचर -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 55V
विस्तृत विवरण N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 4-Power Tab
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस -
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