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RN1309(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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भाग संख्या RN1309(TE85L,F)
उत्पादक Toshiba Semiconductor and Storage
विवरण TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
In Stock 833943 pcs
संदर्भ मूल्य
(अमेरिकी डॉलर में)		1 pcs10 pcs25 pcs
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100 pcs250 pcs500 pcs
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Product parameter

भाग संख्या RN1309(TE85L,F)
उत्पादक Toshiba Semiconductor and Storage
विवरण TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा 833943 pcs
विवरण तालिका RN1307-09
उत्पाद फोटो RN1309(TE85L,F).jpg
वर्ग असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) 50V
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी 300mV @ 250µA, 5mA
ट्रांजिस्टर प्रकार NPN - Pre-Biased
प्रदायक डिवाइस पैकेज USM
शृंखला -
प्रतिरोधी - एमिटर बेस (आर 2) 22 kOhms
प्रतिरोधी - आधार (आर 1) 47 kOhms
पावर - मैक्स 100mW
पैकेजिंग Cut Tape (CT)
पैकेज / प्रकरण SC-70, SOT-323
दुसरे नाम RN1309(TE85LF)CT
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति Lead free / RoHS Compliant
आवृत्ति - संक्रमण 250MHz
विस्तृत विवरण Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce 70 @ 10mA, 5V
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) 500nA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) 100mA
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  • विवरण:TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
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