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RN1503(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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भाग संख्या RN1503(TE85L,F)
उत्पादक Toshiba Semiconductor and Storage
विवरण TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
In Stock 727895 pcs
संदर्भ मूल्य
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$0.031
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Product parameter

भाग संख्या RN1503(TE85L,F)
उत्पादक Toshiba Semiconductor and Storage
विवरण TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
उपलब्ध मात्रा 727895 pcs
विवरण तालिका RN1501-06
उत्पाद फोटो RN1503(TE85L,F).jpg
वर्ग असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद
वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स) 100mA
वोल्टेज - टूटने SMV
Vce संतृप्ति (मैक्स) @ आईबी, आईसी 50V
शृंखला -
RoHS स्थिति Tape & Reel (TR)
रोकनेवाला - emitter बेस (R2) (ओम) 22k
रोकनेवाला - बेस (आर 1) (ओम) 250MHz
पावर - मैक्स 300mW
ध्रुवीकरण SC-74A, SOT-753
दुसरे नाम RN1503(TE85LF)TR
शोर चित्रा (DB प्रकार @ च) 22k
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
उत्पादक हिस्सा करमार्क RN1503(TE85L,F)
आवृत्ति - संक्रमण 70 @ 10mA, 5V
विस्तारित विवरण Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
विवरण TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
डीसी वर्तमान लाभ (hFE) (मिन) @ आईसी, Vce 100nA (ICBO)
वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स) 300mV @ 250µA, 5mA
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
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